==2004年度　学会・論文発表==

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2004年度　学会・論文発表

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	論文発表
2004-Y1	Reduction of point defect density in cubic GaN epilayers on (001) GaAs substrates using AlxGa1-xN/GaN superlattice underlayers	S.F.Chichibu, M.Sugiyama, T.Nozaka,T.Suzuki, T.Onuma, K.Nakajima, T.Aoyama, M.Sumiya, T.Chikyow, and A.Uedono	Journal of Crystal Growth 272 (2004) 481-488.
	国際学会発表
2004-19	Reduction of point defect in cubic GaN epilayers on (001) GaAs substrates using AlxGa1-xN/GaN superlattice underlayers	T.Nosaka, M.Sugiyama, T.Suzuki, T.Koida, K.Nakajima, T.Aoyama, M.Sumiya, T.Chikyow, A.Uedono, and S.F.Chichibu	The 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-12), Lahaina, Maui, Hawai, May 30-June 4, (2004), Wide Gap Nitrides No.31 (poster)
2004-18	Direct comparison of defect density and photoluminescence lifetime in polar and nonpolar wurtzite and zincblende GaN studied by time-resolved photoluminescence and slow positron annihilation techniques	S.F.Chichibu, A.Uedono, T.Onuma, T.Koida, M.Sugiyama, B.A.Haskell, M.Sumiya, H.Okumura, T.Sota, J.S.Speck, S.P.DenBaars, and S.Nakamura	International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 (IWN2004), Pittsburg, USA, Jul.19-23, (2004), No.A10.3 (Oral)
2004-17	Growth and Characterization of High In Composition InGaN epilayers by rf-MBE	T. Kitamura, X-Q.Shen, M.Shimizu, H.Okumura, M.Sugiyama, H.Nakanishi	31-st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-2004)」 September 12-16 2004, Hoam Convention Center, Seoul National University, Seoul, Korea (poster)
2004-16	Growth of ZnInGaS4 by normal freezing method	M.Sugiyama, M.Kinoshita, and H. Nakanishi	The 14th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-14), Denver, CO, USA Sep.27-Oct.1, (2004),(poster).
	国内学会・研究会発表
2004-15	ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCu(In, Ga)Se2薄膜成長	深谷真大，木下淳紀，波能康晴，杉山睦，秩父重英，中西久幸	2005年（平成17年）春季第52回応用物理学関係連合講演会 29a-YK-9　2005-03-29
2004-14	フレキシブルガラス基板を用いたCu（In1-xGax）Se2薄膜の作製	中村聡史，櫻井啓一郎，山田昭政，松原浩司，石塚尚吾，木村泰之，米村実，桑森心平，仁木栄，杉山睦，中西久幸	2005 年（平成17年）春季第52回応用物理学関係連合講演会 29a-YK-12 2005-03-29
2004-13	ノーマルフリージング法によるZnInGaS4の結晶成長II	深堀兼史，木下　実，小阪拓也，種田浩大，杉山　睦，中西久幸	2005 年（平成17年）春季第52回応用物理学関係連合講演会 30a-YK-8 2005-03-30
2004-12	RF -MBE法によるInN上InGaN膜のXRD、TEMによる構造特性	北村寿朗，沈旭強，杉山睦，中西久幸，清水三聡，奥村　元	2005 年（平成17年）春季第52回応用物理学関係連合講演会 29a-N-27 2005-03-27
2004-11	rf -MBE法における横方向成長とGaリッチ低温成長を用いたXRD特性と表面平坦性の改善	長南紘志，清水三聡，朴冠錫，奥村元，中西久幸	2005 年（平成17年）春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005-03-31 31a-L-25
2004-10	酸化物磁性体(Ba1-xSrx)2Zn2Fel2O22の磁気的相互作用	田那部博文　吉羽大介　中西久幸　桃沢信幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P117-119
2004-09	CuGaSe2 薄膜太陽電池におけるポストアニール効果のEBICによる観察	木村泰之，櫻井啓一郎，山田昭政，松原浩司，石塚尚吾，中村聡史，米村実，桑森心平，小島猛、仁木栄，杉山睦，中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P78-81
2004-08	高品質化に向けたZnInGaS4の結晶成長	木下実、小阪拓也、種田浩大、杉山睦、中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P28-31
2004-07	ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCuInGaSe2薄膜成長	木下淳紀、深谷真大、波能康晴、杉山睦、秩父重英、中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P36-39
2004-06	ジエチルセレンを用いたセレン化法によるCuGaSe2薄膜成長	深谷真大、木下淳紀、波能康晴、杉山睦、秩父重英、中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P32-35
2004-05	フレキシブルガラス基板上へのCIGS太陽電池の作成	中村聡史，櫻井啓一郎，山田昭政，松原浩司，石塚尚吾，木村泰之，米村実，桑森心平，仁木栄，杉山睦，中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月 P24-27
2004-04	CuGaSe2 薄膜に対する電極材料の検討	村山聡、深谷真大、木下淳紀、波能康晴、杉山睦、秩父重英、中西久幸	多元機能材料研究会平成16年度講演会 2004-12-17 成果報告集　平成17年１月P20-23
2004-03	GaN 中の非輻射再結合中心密度と点欠陥密度の相関関係	秩父重英，尾沼猛儀，B.A. Haskell，杉山睦，角谷正友，奥村　元，宗田孝之，J.S. Speck，S.P. DenBaars，中村修二，上殿明良	2004 年（平成16年）秋季第65回応用物理学会学術講演会 3p-W-5 2004-09-03
2004-02	ノーマルフリージング法によるZnInGaS4の結晶成長	木下　実，杉山　睦，中西久幸	2004 年（平成16年）秋季第65回応用物理学会学術講演会 3p-ZL-7 2004-09-03
2004-01	塗布熱分解法およびDTBSを用いた硫化法によるCuInS2薄膜の作製と評価	橋本隆道，高山直樹，杉山睦，中西久幸，秩父重英，安藤静敏	2004 年（平成16年）秋季第65回応用物理学会学術講演会 4a-ZL-5 2004-09-04